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dIyer经常说的不要用手摸主板上的mos管，就是这个原因，这东西在静电下真的很脆弱。
“呵呵，我们已经很满足了，术业有专攻嘛，它能把小功率器件实现好，就是一件大好事。
我都不敢想象这东西做出来，我们的小功率电源和精密电源能做得多好。
至于静电的问题，注意规避就好了。”
十六研究室的李主任倒是不以为意，在优异的性能面前，这些都不是事儿。
不过当高振东画起mosFeT的结构图的时候，他们才感到真正的头皮麻，这东西比gTo管子还复杂！
而且它也是多个相同的微结构并联的，其并联的数量，比gTo还大！
如果说gTo的阴极是上千个相同结构并联的话，那mosFeT一个器件里的并联数量可以达到上万。
如果高振东没搞定光刻机的事情，那mosFeT即使研究出来，量产就会非常麻烦。
“这都要用到微电子技术了，我回去得把院里去年分来的两个搞过sZ61的年轻同志要过来才行，要不没法搞。”
李主任看着这个结构，喃喃自语。
此时，去年高振东在61号教室播下的种子，已经开始到处生根芽。
这两名同志，就是十二机部从京城工大抢过来的那批种子之一。
高振东笑道：“你们把这个管子搞好了的话，等环境合适了，就能接着搞一种新器件，不过现在还早，先不想那个。”
很有意思的事情，mosFeT和IgBT的结构很像，高振东考虑得非常远，现在没资源搞IgBT，等过几年可就不一定，现在暂时gTo和mosFeT够用了。
和gTo一样，花了大半天时间，高振东把mosFeT的相关内容给1218和十六室的同志做了详细的传授。
这东西高振东上辈子学过，考试成绩还不错，在网上和别人因为高铁的事情对喷的时候，又查找了不少相关资料。
技术型喷子，恐怖如斯。
所以高振东对这东西是真的非常熟悉，听得同志们佩服不已。
高总工不但理论精深，实践丰富，讲起课来也是深入浅出，头头是道。
“高总工，那我们就回去把事情组织起来，正式开动了。”
“嗯，我们争取尽快搞出mosFeT，就能真正把电子开关的工作给做好了。”
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