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我们搞gTo，门极可关断晶闸管。”
这货的全称实在有点长，高振东直接就把英语名字和简称也拿过来用了。
高振东直接在黑板上画了一个gTo的结构示意图。
这就是他的选择，在当前环境下，最容易实现的全控大功率电力电子器件，而且适用范围广，生命周期长，成本也相对合适。
这货能在IgBT的冲击下还屹立不倒，应用广泛，其能力可见一斑。
从极限上来说，同等频率下，它的功率比scR要低一点，但是没有很大的数量级差别，我们现在也大概率用不到那么大功率，但是它能工作在scR达不到的频率上，这一点对于当前阶段的我们来说，甚至比极限功率还重要。
看着黑板上逐渐成型的结构图，李主任先是觉得很熟悉，因为这部分简单，高振东先画的这部分。
原理结构上来说，他一看就看出来了，开始部分和snet结构上两层一样一样的。
噢，这东西叫门极可关断晶闸管？那没事儿了，结构差不多正常。
但是当高振东画到第三层第四层的时候，事情生了变化。
scR的第三层门极和第四层阴极是分层明显，就是两层，可是这个gTo的阴极被分成了很多很多个，每个都被门极包围在里面，是个多阴极结构。
“我们用双晶体管模型来分析一下……”
高振东拍拍手上的粉笔灰，直接给他们上起了课，这可是最核心的部分，要仔细听。
“……由上可知，当在门极施加足够的正脉冲信号，就足以使得gTo的各阴极进入大面积导通状态，但是由于结构的原因，gTo的导通属于是一种临界导通，这就为门极负脉冲信号的关断提供了条件。
相应来说，scR的器件饱和度较深，是没有关断条件的。
这是两者最大的区别。”
天才！
李主任脑袋里只有这个想法。
（本章完）
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